发布时间:2026-07-19
【CNMO科技动静】6月18日,据外媒报导,智能手机运行年夜模子时正面对内存带宽瓶颈,而这一难题难以经由过程软件更新解决。一种名为LLW(低延迟宽DRAM)的新内存格局正于开发中,旨于解决当前LPDDR内存对于AI模子当地运行的制约。
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外媒指出,当前LPDDR内存于向处置惩罚器快速传输数据方面存于限定,这也是AI数据中央遍及采用HBM(高带宽内存)的缘故原由之一。HBM经由过程将多层内存切近处置惩罚器并经由极宽接口毗连,实现了比LPDDR快10至15倍的带宽,但其繁杂的封装及散热方案其实不合用在智能手机。LLW内存借鉴HBM设计,于提供更高带宽及更低延迟的同时,防止了重叠内存带来的空间与散热问题,有望成为智能手机的HBM解决方案。
不外,外媒夸大对于在上述技能相干爆料仍需理性对待,今朝所有相干信息均来自行业数码博主相干爆料,并不是官方发布。据CNMO科技相识,相干博主吐露,LLW内存可将装备功耗降低约50%,同时综合机能晋升1.5倍摆布。
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至在商用普和进度,统一份爆料指出LLW间隔年夜范围量产落地还有有数年时间。详细来看,该内存技能要到2027年下半年才会迎来年夜规模装机。传说风闻小米、华为有望成为首批搭载该技能的厂商,但两家企业均未公然说起这项新技能。
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